王宇
- 作品数：15 被引量：58H指数：5
- 供职机构：广西科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程冶金工程一般工业技术更多>>
- 硅材料湿法提纯理论分析及工艺优化被引量：21
- 1995年
- 介绍了中等规模太阳级硅粉的湿法提纯工艺，就硅粉回收率、硅粒尺寸及酸洗液浓度等重要工艺参数对杂质含量及提纯成本的影响进行了分析。讨论了高浓度酸萃取时“钝化现象”的机理并修正了理论模型。根据理论分析与实验数据进行工艺优化，为大规模湿法提纯太阳级硅材料提供了重要依据。
- 王宇尹盛肖成章何笑明王敬义
- 关键词：太阳能硅湿法提纯
- 提高粉粒沉降过程中等离子体纯化能力的研究被引量：9
- 2001年
- 限于工艺条件 ,我们过去曾得出粉粒在等离子体中沉降时 ,提纯效果可忽略不计 ,本文经过详细的分析、计算和论证表明 ,沉降时间及提纯速率可经工艺改进而提高到使提纯效果达到决定性的地步。文中提供了计算结果、改进措施及粉粒可收集的判据。这对于提高等离子体总的冶金效应和将其推向应用都具有很大的意义。
- 王敬义王宇陶甫廷陈文辉张巍冯信华陶臻宇尹盛
- 关键词：等离子体冶金沉降时间
- 激光技术制备新型硅太阳能电池廉价材料
- 1995年
- 本文介绍了将激光技术引入硅材料制备领域，并且创造性地将激光技术与廉价硅材料制备技术有机地结合起来，提出了一种新型硅材料提纯和晶化技术。
- 赵宁王宇李兴教王敬义郑启光陶星之王涛顾建辉
- 关键词：激光烧结硅电池太阳能电池
- 冷等离子体冶金中的粒子输运现象研究被引量：8
- 1999年
- 介绍了冷等离子体冶金效应的实验方法和结果，列出了反应粒子的输运方程，较详细地分析了它们之间的耦合关系．在讨论输运方程的求解过程中，证明各种粒子的输运速率是与提纯效果紧密相关的．提供了对硅的提纯结果和工艺参数。
- 尹盛何笑明王宇王敬义
- 关键词：等离子体冶金
- 甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究
- 1991年
- 本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.
- 王敬义何笑明王宇王永兴
- 关键词：非晶硅甲硅烷APCVD淀积热扩散
- 气相生长统一模型被引量：1
- 1993年
- 从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.
- 王敬义王宇赵宁何笑明
- 关键词：薄膜生长气相生长
- 反应溅射中靶面附近的粒子输运研究被引量：2
- 2003年
- 列出了各类粒子的产生、输运和它们同靶表面反应的速率方程,并计及高能中性粒子对靶面溅射的剥离速率方程。有关方程耦合后求解溅射速率与气体流量和放电电流的关系。本文强调反应粒子的反应碰撞,论述了从粒子输运出发探讨薄膜生长方法的优点。
- 陶甫廷王敬义何笑明王宇尹盛
- 关键词：反应溅射薄膜生长生长速率
- 空间用高效率硅太阳电池被引量：2
- 1992年
- 本文阐述空间用高效率PESC硅太阳电池的理论设计和工艺实验研究.将电池设计为浅结密栅,在前表面热生长一超薄SiO_2钝化层,并制作了双层减反射膜,使电池的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大改进.在AM1.5光照条件下,短路电流密度高达37.4 mA/cm^2,光电转换效率达到18.03%.
- 史济群马稚尧谢基凡王宇
- 关键词：太阳电池钝化发射极硅
- 冷等离子体冶金效应研究被引量：5
- 2000年
- 实验表明 ,辉光放电产生的等离子体对硅、Ti N、Si C等材料具有明显的提纯效果 ,对其进行了讨论 ,并指出应用前景。
- 王敬义王宇尹盛何笑明冯信华肖成章
- 关键词：冷等离子体冶金效应非晶硅薄膜
- PESC电池扩散工艺的改进及分析被引量：1
- 1991年
- 由于硅单晶质量的提高及背表面场和减反射膜技术的应用,电池的短路电流已接近理论极限值,因此其性能的改进就取决于发射区的优化.本文论述了一种改进的扩散工艺——二次扩散工艺.其主要特点是提高氧化温度,利用氧化过程的高温改善发射区杂质分布,从而减少“死层”的影响.文中分析并计算了二次扩散(氧化)后的杂质分布和结深的变化,并讨论了二次扩散对发射区少于复合的影响及工艺条件对发射区各参数的影响.
- 王宇史济群马稚尧谢基凡
- 关键词：硅单晶
