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李秀琼

作品数：12 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇微米
  • 3篇掺杂
  • 2篇电路
  • 2篇电子束
  • 2篇微电子
  • 2篇离子束
  • 2篇粒子束
  • 2篇晶体管
  • 2篇辉光
  • 2篇辉光放电
  • 2篇集成电路
  • 2篇鼓泡
  • 2篇氟化
  • 2篇氟化氢
  • 2篇腐蚀速率
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电极
  • 1篇电路工艺

机构

  • 10篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 12篇李秀琼
  • 3篇韩阶平
  • 3篇杨军
  • 3篇陈梦真
  • 2篇王培大
  • 2篇陈维德
  • 2篇海潮和
  • 2篇王纯
  • 2篇刘辉
  • 1篇卢殿通
  • 1篇谢小龙
  • 1篇段俐宏
  • 1篇刘训春
  • 1篇梁俊厚

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇物理
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
束致变蚀技术
本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀技术。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂混合物层；...
韩阶平王守武王培大杜甲丽李秀琼陈梦真刘辉徐卫东
文献传递
辉光放电电子束掺杂硼浅结被引量：2
1992年
一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10^(20)/cm^3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.
李秀琼王纯马祥彬杨军
关键词：硼浅结半导体
辉光放电电子束瞬态退火研究
1993年
辉光放电电子束已成功用于半导体浅结掺杂和离子注入后的退火处理。本文介绍了用自制的辉光放电电子束机分别对硅中注硼、注砷的损伤进行退火的研究,并与热退火和白光退火结果进行了比较。
李秀琼卢殿通陈维德杨军
关键词：离子注入退火辉光放电
电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用被引量：2
1996年
采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫钝化的影响．结果表明，硫钝化ＩｎＰ表面经电子束辐照可以促使Ｓ与ＩｎＰ中的Ｉｎ更好的化合．
陈维德李秀琼段俐宏谢小龙
关键词：电子束辐照磷化铟硫钝化表面处理
束致变蚀方法
本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀方法。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂组合物层；...
韩阶平王守武王培大杜甲丽李秀琼陈梦真刘辉徐卫东
文献传递
一种真空或充气的操作装置
本实用新型公开了一种在洁净工艺中使用的真空或充气操作装置。它包含既可以分隔、又可以连通的内外两个腔体。分隔时可在内腔体中进行物件的工艺处理。连通时则可在外腔体中进行待处理与已处理物件的装卸。外腔体中装有载物台与机械手，可...
李秀琼
文献传递
冷发射电子束掺杂磷被引量：2
1990年
一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10^(20)/cm^3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。
李秀琼王培大马祥彬王纯
关键词：掺杂磷集成电路
一种半导体的掺杂技术
本发明公开了一种借助在稀薄气体的两个电极间施加电压产生辉光放电引发半导体掺杂的技术。它能在实现高掺杂浓度的同时获得对浅掺入层的有效控制，并且具有掺杂均匀、损伤小等效果。该技术设备简单，操作方便，成本低廉。
李秀琼王培大马祥彬孙惠玲王纯
文献传递
利用电子束掺杂技术制备微米、亚微米P－MOSFET器件
1994年
本文对辉光放电电子束在ＭＯＳＦＥＴ中的应用进行研究．结果表明，利用辉光放电电子束掺杂方法成功地实现了微米、亚微米Ｐ－ＭＯＳＰＥＴ．器件的漏流小，Ｉ－Ｖ特性好，源漏结浅、均匀和横向掺杂效应小．此方法与常规ＭＯＳ工艺兼容，所需的设备结构简单、操作方便，价格低廉，易于推广到ＶＬＳＩ中去．
李秀琼海潮和杨军
关键词：场效应晶体管MOSFET微电子器件
SOI-NMOS场效应晶体管的Kink特性分析被引量：1
1990年
本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和液氦下观测到的N-MOS场效应晶体管的Kink形状很类似。实验还表明Kink大小是液氮下比室温下大、液氦下比液氮下的大。应用电容效应,低温下载流子“冻结”机制和不同偏压下载流子产生和复合的物理过程分析可以相应地解释不同温度下Kink效应。
李秀琼M.TackE.SimoenC.ClaeysG.Declerck
关键词：场效应晶体管
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共2页<12>
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