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樊俊义

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南开大学更多>>
相关领域：电气工程理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电池
  • 1篇多晶
  • 1篇散射
  • 1篇太阳电池
  • 1篇铜矿
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇喇曼
  • 1篇喇曼散射
  • 1篇黄铜矿
  • 1篇CIS
  • 1篇CUINSE...

机构

  • 2篇南开大学
  • 2篇天津职业技术...
  • 1篇天津职业技术...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 3篇樊俊义
  • 2篇李长健
  • 2篇樊俊义
  • 1篇崔芮华

传媒

  • 2篇半导体杂志
  • 1篇第三届中国功...

年份

  • 3篇1998
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
关于CuInSe_2膜的喇曼散射
1998年
通过对ＣＩＳ膜喇曼谱的研究，找到膜的生长条件，组份比和膜的结构之间的关系。我们在实验中，用不同组份的ＣｕＩｎＳｅ２膜进行喇曼谱的测量，发现了与Ｙａｍａｎａｋａ所得到的不尽一致的结果。
樊俊义樊俊义
关键词：喇曼散射黄铜矿太阳电池
薄膜迭层四端电池试验
1998年
四端电池利用上、下层电池材料的禁带宽度不同，可以分别吸收不同波长的光，以达到提高电池效率的目的。本文对四端迭层电地的工艺及试验结果作了初步的探讨。
樊俊义崔芮华樊俊义
关键词：禁带宽度
多晶CulnSe<,2>薄膜工艺探讨
介绍了用固态源硒化法制备多晶CIS薄膜的工艺过程，详述了化学成膜机理，讨论了工艺中存在的问题及相应的改进措施。
李长健樊俊义孙云
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共1页<1>
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