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主题

  • 10篇电路
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机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇汪江涛
  • 9篇蔡道民
  • 6篇默立冬
  • 5篇王绍东
  • 5篇方家兴
  • 4篇高学邦
  • 3篇董毅敏
  • 1篇吴洪江
  • 1篇陈凤霞
  • 1篇段雪
  • 1篇武红玉
  • 1篇顾占彪
  • 1篇刘志军
  • 1篇许春良
  • 1篇宋俊魁
  • 1篇吴永辉
  • 1篇闫伟

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇电讯技术

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2012
  • 1篇2011
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
K波段单片接收机设计被引量:1
2012年
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19~26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19~26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 dB;输入回波损耗-12 dB;镜像抑制15 dB;本振-射频隔离度55 dB。为了降低了芯片成本,采用电磁场仿真软件对电路面积做优化设计,使得芯片面积仅为2 mm×4 mm。此接收机MMIC具有集成度高、可靠性高、体积小等特点,可广泛应用于各种微波通信系统和雷达系统。
汪江涛吴永辉
关键词:接收机平衡式低噪声放大器微波单片集成电路
自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路
本发明公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路,涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路,第一路与晶体管QA1的基极连接,第二路与晶体管QA2的集电极...
默立冬方家兴蔡道民王绍东汪江涛
异质结双极型晶体管的制作方法
本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法,涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低‑高‑低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区,调节基极‑集电区电场分布;优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度,利用寄...
蔡道民方家兴默立冬王绍东汪江涛
文献传递
26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制被引量:1
2019年
研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络中采用相位补偿线和阻抗变换电路,提高了放大器的线性度和效率。采用SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺进行了流片,芯片面积为3.0 mm×2.5 mm。芯片装配后测试表明,在频率为24.5~26.0 GHz内,Doherty MMIC功率放大器饱和输出功率为4 W,饱和时漏极效率大于24%,在回退8 dB时的漏极效率大于15%。
董毅敏蔡道民高学邦邬佳晟汪江涛谭仁超
功率放大装置和微波电路
本发明涉及放大器技术领域,提供了功率放大装置和微波电路。该功率放大装置包括:输入子电路包含功分器、主功率放大单元输入匹配网络、辅助功率放大单元输入匹配网络、第一等效网络,功分器将第一输入端接收到的功率信号分成至少两路功率...
汪江涛蔡道民董毅敏高学邦
文献传递
一种半导体功率器件的热阻测试仪
一种半导体功率器件的热阻测试仪,解决了由于单台热阻测试仪只能测量单类型的器件热阻的技术问题,采用的技术方案是,电路结构中包括带有配套管理程序的CPU、热阻测试电路、以及热阻测试参数采集电路,上述的热阻测试仪的电路结构中增...
闫伟汪江涛陈凤霞吴洪江默立冬
文献传递
栅极电源偏置电路和功率放大器
本发明涉及放大器技术领域,提供了栅极电源偏置电路和功率放大器。该栅极电源偏置电路应用于毫米波功率放大器,包括:微带线,一端与毫米波功率放大器中的高电子迁移率晶体管HEMT的栅极连接;第一电阻单元,一端与所述微带线的另一端...
董毅敏蔡道民汪江涛高学邦段雪
文献传递
自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路
本实用新型公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路,涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路,第一路与晶体管QA1的基极连接,第二路与晶体管QA2的集...
默立冬方家兴蔡道民王绍东汪江涛
文献传递
一种功率振荡器及其设计方法
本申请适用于电子电路装置技术领域,提供了一种功率振荡器及其设计方法。该功率振荡器包括:GaN管芯,栅极与反馈环路的第一端相连接,漏极分别与反馈环路的第二端、负载匹配电路的第一端连接,源极接地;反馈环路的第三端分别与栅极偏...
李晓亮许春良蔡道民刘志军高学邦陈晓宇汪江涛宋俊魁李通顾占彪
Ku波段低相噪推-推式VCO单片集成电路
2012年
基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计。用ADS软件完成了原理图和电磁场仿真,用Candence Virtuoso完成了版图设计。此VCO MMIC频率覆盖14.5~15 GHz,在2.2 mm×1.2 mm的面积内集成了变容二极管、谐振电路、负阻产生电路,具有体积小、成本低、相位噪声低等特点。在4.2 V单电源电压下,其静态电流为150 mA,典型输出功率为10 dBm,频偏为100 kHz时的单边带相位噪声为-105 dBc/Hz。
汪江涛
关键词:微波单片集成电路S参数
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