张伟
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器被引量：1
- 2011年
- 设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。
- 张伟刘盛富张书霖陈磊赖宗声
- 关键词：上变频混频器电流注入BICMOSWCDMA
- UHF RFID阅读器中增益可控驱动放大器的设计被引量：1
- 2011年
- 基于宏力半导体公司0.18μm SiGe HBT工艺,提出了一种应用于UHF（860~960MHz）RFID频段的增益可控驱动放大器（DA）。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基（Cascode）结构,其中,增益控制由三对结构相同的共射电路通过外加偏压实现,增益可控的步长为3 dB。仿真结果显示,在1.8 V电源电压下、910 MHz频段处,增益（S21）分别达到17 dB、20 dB和23 dB,噪声系数（NF）分别为3 dB、2.6 dB和2.2 dB,并且实现了良好的输入输出匹配。
- 刘盛富张伟张书霖陈磊冉峰赖宗声
- 关键词：SIGEHBT驱动放大器增益可控噪声系数
- 0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模
- 2011年
- 对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus软件中的BSI MSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数。对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负面影响。
- 张书霖陈磊严琼张伟刘盛富苏杰赖宗声石艳玲徐世美杨飞
- 关键词：绝缘体上硅CMOS浮体效应
- 基于SiGe BiCMOS工艺的5GHz低噪声放大器的设计
- 2013年
- 基于0．18μmSiGeBiCMOS工艺，设计了一款应用于WLAN802．11频段的低噪声放大器（LNA）．采用了共射级的两级级联结构，发射极运用电感负反馈，有效地提高了增益和线性度．仿真结果表明，在5～6GHz工作频段内，小信号增益S21达20．5dB，噪声系数NF低于2dB，正向传输系数S22小于-19dB和反向传输系数是：小于-18dB，实现了较好的输入输出匹配．
- 阮颖朱武张伟
- 关键词：低噪声放大器噪声系数SIGEBICMOS工艺无线局域网
