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李永坤

作品数：5 被引量：7H指数：2
供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
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合作作者

领域

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地区

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  • 1个上海市
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共 8 条 记 录，以下是 1-8
唐瑜
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：视频帧 MOS器件 等离子体损伤 基于3D 卷积和
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟志琴
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：总剂量效应 FET器件 电离辐射效应 MOS器件 等离子体损伤
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗宏伟
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：集成电路 可靠性 总剂量效应 静电放电 ESD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志炜
供职机构：复旦大学
研究主题：金属半导体 多晶 静电放电 应力 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
文静
供职机构：西安电子科技大学通信工程学院
研究主题：ESD保护电路 雪崩击穿 静电放电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹艳荣
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场板 HEMT器件 淀积 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 栅电极 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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