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牛沈军

作品数：9 被引量：25H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学环境科学与工程更多>>

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共 18 条 记 录，以下是 1-10
兰天平
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VGF 砷化镓 位错密度 VB GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建利
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：位错密度 GAAS晶体 VB EPD 漂移速度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林健
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：单晶片 砷化镓 表面粗糙度 磷化铟 超薄
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙强
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：砷化镓 砷化镓材料 位错密度 VGF 单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈能珏
供职机构：电子部
研究主题：金属 电子封装材料 陶瓷 塑封料 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春峰
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：EPD 位错密度 漂移速度 砷化镓材料 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵权
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：抛光片 锗 单晶片 表面粗糙度 清洗技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘杏晶
供职机构：电子部
研究主题：GAAS单晶 SI-GAAS单晶 分频器 分频 晶体生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丰梅霞
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VB 半绝缘砷化镓单晶 晶体生长 位错密度 砷化镓单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洪星
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：锗 单晶片 抛光片 晶片 表面粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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