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张纬

作品数：5 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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共 14 条 记 录，以下是 1-10
徐应强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 多量子阱 砷化镓 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐晓华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 衬底 超高真空 镓 砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩勤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 量子点 雪崩光电探测器 光电探测器 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张瑞康
供职机构：北京邮电大学
研究主题：时钟恢复 波分复用 光网络 光纤通信 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光电探测器 RCE 半导体激光器 分布反馈激光器 半导体光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄永清
供职机构：北京邮电大学
研究主题：光探测器 光电探测器 光通信 光纤光栅 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林耀望
供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
研究主题：GAAS 砷化镓 MBE生长 量子阱激光器 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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