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杨清华

作品数：21 被引量：23H指数：4
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刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙世兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 浮栅 非挥发性 电子束直写
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董立军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 氮化硅薄膜 红外焦平面阵列 纳米孔 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宝钦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束直写 电子束曝光 抗蚀剂 电子束
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属 冗余 淀积 集成电路版图 版图设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡媛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：浮栅 存储器 硅衬底 非挥发性存储器 非易失存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧毅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化硅薄膜 刻蚀 MEMS 牺牲层 微机电系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
管伟华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 纳米晶 浮栅 硅衬底 非挥发性存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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