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冉军学

作品数：79 被引量：27H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
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胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 迁移率 MOCVD 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 碳化硅衬底 GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷海波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：金属有机物 托盘 MOCVD 温度均匀性 流场
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马志勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化铝 迁移率 碳化硅衬底 电学性能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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