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张会肖

作品数：19 被引量：16H指数：2
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曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫发旺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体质量 GAN基发光二极管 衬底 非极性 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙莉莉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：紫外发光二极管 出光效率 杀菌消毒 氮化物 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张扬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多量子阱 晶体质量 二氧化硅膜 衬底 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高海永
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：射频磁控溅射 氨化 ZNO 晶体质量 GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN基LED 发光效率 二氧化硅膜 多量子阱 金字塔结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 SOI 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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