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方维政

作品数:79 被引量:114H指数:6
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
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领域

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主题

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  • 46个半导体材料
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 72个上海市
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  • 3个北京市
  • 2个江苏省
  • 2个云南省
  • 1个福建省
95 条 记 录,以下是 1-10
杨建荣
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 碲锌镉 液相外延 HGCDTE 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何力
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 分子束外延 HGCDTE 红外焦平面探测器 红外焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新强
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 液相外延 HGCDTE HG CD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于梅芳
供职机构:东南大学
研究主题:分子束外延 碲镉汞 CDTE HGCDTE HG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘从峰
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲锌镉 腐蚀坑 位错 碲锌镉晶体 碲镉汞红外焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙士文
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲锌镉 腐蚀坑 碲锌镉晶体 晶片 液相外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
巫艳
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:分子束外延 碲镉汞 HGCDTE CDTE HGCDTE分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王善力
供职机构:昆明物理研究所
研究主题:分子束外延 HGCDTE 碲镉汞 HG 分子束外延材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴宁
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:液相外延 量子点 石墨 衬底 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
涂步华
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲锌镉 腐蚀坑 ZN 晶向 位错
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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