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朱占平
作品数:
8
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
曾一平
中国科学院半导体研究所
王宝强
中国科学院半导体研究所
段瑞飞
中国科学院半导体研究所
王保强
中国科学院半导体研究所
黄风义
中国科学院半导体研究所
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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研究领域
王宝强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:MBE 量子点 MBE生长 分子束外延 INGAAS/GAAS
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所获资助
研究领域
王保强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:振荡器 沟道 MM-HEMT材料 MBE生长 MBE
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段瑞飞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
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黄风义
供职机构:东南大学
研究主题:低噪声放大器 参数提取方法 等效电路模型 CMOS 小信号等效电路模型
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吴巨
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 砷化镓 MBE 半绝缘
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张雨溦
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 硅基 隔离层 锑化物 势垒
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李敏
供职机构:南京理工大学电子工程与光电技术学院
研究主题:GAAS光电阴极 光谱响应 光电子学 积分灵敏度 量子效率
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张杨
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 电子束曝光 生物传感器 隔离层 锑化物
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王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
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