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赵冀

作品数：10 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

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地区

  • 20个北京市
共 20 条 记 录，以下是 1-10
朱蓉辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑红军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜俊鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微缺陷 VGF LEC 温控设备 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伊晓燕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭金霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 发光器件 欧姆接触电极 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王莉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 蓝宝石 发光器件 光提取效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季安
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：湿法腐蚀 MEMS压力传感器 干法刻蚀 自对准 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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