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杨富华

作品数：465 被引量：243H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
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杨晋玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：谐振器 圆片级 电极 淀积 谐振结构
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韩伟华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
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张加勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米尺寸 相变存储器 淀积 干法刻蚀 相变材料
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杨香
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 硅基 刻蚀 相变存储器 沟槽
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张明亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 热电器件 MEMS压力传感器 纳米线结构 谐振式
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季安
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：湿法腐蚀 MEMS压力传感器 干法刻蚀 自对准 淀积
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郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GA 自旋
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刘雯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：陷光结构 太阳电池 光吸收 场效应晶体管 量子点
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樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
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