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32 条 记 录,以下是 1-10
彭大青
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 氮化镓 二维电子气 成核 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传皓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化镓 金属有机物化学气相沉积 成核 二维电子气 高电子迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 氮化铝 成核 氮化镓 晶体质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 外延片 硅外延 外延层 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 外延层 外延片 硅外延 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗伟科
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化镓 氮化铝 晶体质量 成核 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化镓 氮化铝 晶体质量 成核 材料性能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乾坤
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 成核 金属有机物化学气相沉积 金属有机物 低应力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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