2024年12月28日
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杨静
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30
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司
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合作作者
杨洪星
中国电子科技集团公司
张伟才
中国电子科技集团公司
韩焕鹏
中国电子科技集团公司
庞炳远
中国电子科技集团公司
索开南
中国电子科技集团公司
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杨洪星
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:锗 单晶片 抛光片 晶片 表面粗糙度
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张伟才
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:硅单晶 锗 单晶片 晶片 硅片
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韩焕鹏
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:硅单晶 锗 单晶炉 晶片 单晶片
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庞炳远
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:区熔 硅单晶 区熔硅单晶 硅单晶生长 硅
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索开南
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:区熔 少子寿命 硅 区熔硅单晶 SI单晶
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赵权
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:单晶片 锗 锗单晶 晶片 抛光片
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曹亮
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所
研究主题:声表面波滤波器 滤波器 传感器 肽核酸 杂交
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于妍
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:酸腐蚀 翘曲 单晶片 翘曲度 冰乙酸
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高丹
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:抛光片 腐蚀坑 硅单晶 画格 金相显微镜
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