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程伟

作品数：36 被引量：27H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 49 条 记 录，以下是 1-10
王元
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 异质结双极型晶体管 HBT工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆海燕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 太赫兹 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常龙
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙岩
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 太赫兹 磷化铟 GHZ
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛斌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：磷化铟 DHBT 太赫兹 INP INGAAS/INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵岩
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS_PHEMT SI 异质结双极型晶体管 集成技术 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓鹏
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP 磷化铟 GS DHBT 电流舵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS INGAAS DHBT 费米能级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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