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罗晋生

作品数：155 被引量：279H指数：10
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所更多>>
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相关领域：电子电信理学机械工程航空宇航科学技术更多>>

合作作者

领域

  • 117个电子电信
  • 75个理学
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  • 35个机械工程
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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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高玉民
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院
研究主题：击穿电压 功率器件 IGBT 晶体管 表面电荷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐本奇
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：CCD 电荷耦合器件 中子 功率MOS器件 中子辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾峥
供职机构：西安交通大学
研究主题：双极晶体管 X HBT 应变层 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张玉明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鸣
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系
研究主题：碳掺杂 砷化镓 INGAAS XGA 表面势
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张义门
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨荣
供职机构：西安交通大学
研究主题：PMOSFET 床身 无线传感器网络 LDMOS NMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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