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闫发旺

作品数：30 被引量：35H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
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王国宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张会肖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体质量 出光效率 GAN基发光二极管 氮化物 非极性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙莉莉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：紫外发光二极管 出光效率 杀菌消毒 氮化物 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张扬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多量子阱 晶体质量 二氧化硅膜 衬底 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高海永
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：射频磁控溅射 氨化 ZNO 晶体质量 GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王兵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 成核 发光二极管 多量子阱 投影式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚然
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 成核 MOCVD 衬底 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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