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王保强

作品数：20 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 39 条 记 录，以下是 1-10
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱战平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MM-HEMT材料 分子束外延生长 沟道 MBE生长 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨玉芬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：HEMT 毫米波 振荡器 ALGAAS/GAAS 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔利杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 掺杂 磁输运 太赫兹波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昉昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE生长 MBE 分子束外延生长 掺杂 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：振荡器 雪崩管 测距雷达 测距精度 FMCW
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张黄河
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：振荡器 雪崩管 脉冲 崩越二极管 雪崩管振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：振荡器 雪崩管 测距雷达 测距精度 FMCW
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯梦会
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：振荡器 雪崩管 雪崩管振荡器 毫米波 功率合成器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱占平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE INGAAS/GAAS 衬底材料 衬底 半导体硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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