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俞跃辉

作品数：146 被引量：71H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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程新红
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王中健
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 石墨烯 介质薄膜 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 介质薄膜 栅极 光刻胶 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑理
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 增强型 金属电极 金属 重掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏超
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 介质薄膜 金属 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋朝瑞
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 SOI SOI_LDMOS 介质薄膜 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹铎
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈玲燕
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 金属电极 重掺杂 源区 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王谦
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 金属电极 重掺杂 源区 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张栋梁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 金属电极 重掺杂 源区 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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