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吕树玲

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

领域

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  • 9个理学
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  • 4个电气工程
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  • 1个经济管理
  • 1个矿业工程

主题

  • 9个原子层沉积
  • 8个单晶
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  • 8个氮化碳薄膜
  • 8个氮气
  • 8个电离
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  • 7个氮化镓薄膜
  • 7个导流
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  • 7个乙烯
  • 5个等离子体

机构

  • 10个中国科学院微...
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  • 2个中国科学技术...
  • 1个中国科学院嘉...

资助

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  • 1个中国科学院微...

传媒

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  • 2个光电工程
  • 2个固体电子学研...
  • 2个现代电子技术

地区

  • 10个北京市
共 10 条 记 录，以下是 1-10
万军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
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陈波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石莎莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张艳清
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：进气口 进气 躯体 气口 调制研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李楠
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 启辉 等离子体 电极 半导体制造技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
饶志鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄成强
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 含碳 前驱体 含氮 金属表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马舒
供职机构：中国科学院微电子研究所
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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