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徐伟

作品数:12 被引量:44H指数:4
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金山西省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>

领域

  • 12个电子电信
  • 9个理学
  • 6个化学工程
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主题

  • 10个单晶
  • 10个半绝缘
  • 9个单晶生长
  • 8个SIC
  • 8个4H-SIC
  • 7个碳化硅
  • 6个第三代半导体
  • 6个电子器件
  • 6个应力
  • 6个热导率
  • 6个微电子
  • 6个微电子器件
  • 6个功率电子
  • 6个功率电子器件
  • 6个高热导率
  • 5个大直径
  • 5个电阻率
  • 5个金刚石
  • 4个粘接
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机构

  • 14个中国电子科技...
  • 2个中国电子科技...
  • 1个西安理工大学
  • 1个中国科学院
  • 1个中国科学院上...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国科学院大...

资助

  • 11个国家自然科学...
  • 9个国家高技术研...
  • 8个山西省自然科...
  • 7个国际科技合作...
  • 1个上海市科学技...

传媒

  • 12个电子工艺技术
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  • 1个半导体技术
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  • 1个天文研究与技...
  • 1个数字技术与应...
  • 1个测控与通信
  • 1个中国科学:物...

地区

  • 1个北京市
  • 1个陕西省
14 条 记 录,以下是 1-10
王英民
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:单晶生长 籽晶 氧化镓 氮化铝 坩埚
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛开礼
供职机构:西安理工大学
研究主题:SIC 4H-SIC 碳化硅 半绝缘 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李斌
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:低噪声放大器 射电望远镜 SIC 宽带 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王利忠
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:半绝缘 4H-SIC 单晶生长 应力 大直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯晓蕊
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:4H-SIC 半绝缘 单晶生长 大直径 粒度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何超
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:金刚石 翘曲度 粗糙度 4H-SIC 高纯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜志艳
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:SIC 晶片加工 金刚石 线切割 S7-1200
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏汝省
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:高纯 粉料 碳化硅 高真空 H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田牧
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:粒度 温度 碳化硅 SIC单晶 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马康夫
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题:粉料 高纯 碳化硅 SIC 合成工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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