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徐静平

作品数：127 被引量：190H指数：6
供职机构：华中科技大学更多>>
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地区

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钟德刚
供职机构：浙江工业大学
研究主题：异步电动机 光信号 永磁同步电机 转子 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹晓
供职机构：华中科技大学
研究主题：界面层 栅介质 MOS电容 MOS 高K栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈卫兵
供职机构：湖南工业大学计算机与通信学院
研究主题：高K栅介质 MOSFET 阈值电压 短沟道效应 电路设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余岳辉
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题：RSD 晶闸管 反向开关晶体管 脉冲功率 半导体开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于军
供职机构：华中科技大学
研究主题：铁电薄膜 铁电 铁电性能 铁电存储器 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳萍
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
研究主题：MOSFET 高K栅介质 阈值电压 短沟道效应 阈值电压模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涛
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系
研究主题：晶闸管 多晶硅膜 多晶硅 WO 气敏元件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎沛涛
供职机构：香港大学
研究主题：SIC N-MOSFET 电特性 扩展电阻 温度传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春霞
供职机构：香港大学
研究主题：栅介质 6H-SIC SIC 界面态密度 电特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季峰
供职机构：华中科技大学
研究主题：高K栅介质 阈值电压 MOS器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 HFO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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