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曹菲

作品数:60 被引量:0H指数:0
供职机构:哈尔滨工程大学更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

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20 条 记 录,以下是 1-10
王颖
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:牺牲 栅氧化层 晶体管 功率MOS器件 电子系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘云涛
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:低功耗 全差分 接口 惯性器件 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵雷
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:牺牲 接口 肖特基二极管 势垒 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晓亮
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:抗辐射 绝缘体上硅 氧化层 光刻胶 抗辐射加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
包梦恬
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:栅氧化层 SOI_MOSFET 硅膜 多晶硅栅 氧腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵磊
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:绝缘体上硅 氧化层 抗辐射 光刻胶 介质隔离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程超
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:导电类型 槽栅 掩膜版 沟槽 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵春晖
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:高光谱图像 光谱图像 遥感图像 高光谱数据 光谱数据
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李婷
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:铝合金 固溶 均匀化 析出相 预拉伸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦文利
供职机构:哈尔滨工程大学
研究主题:功率MOS器件 终端结构 场效应晶体管 氧化层 功率半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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