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钟世昌

作品数：56 被引量：94H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>

合作作者

领域

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主题

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  • 26个高电子迁移率
  • 26个高电子迁移率...
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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 2个北京市
共 39 条 记 录，以下是 1-10
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：东南大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王帅
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 大功率 高电子迁移率晶体管 内匹配 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐永刚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 内匹配 晶体管 C波段 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐世军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 功率放大器 功率管 内匹配 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率管 内匹配 氮化镓 KU波段 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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