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张彦飞

作品数：19 被引量：13H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术交通运输工程更多>>

合作作者

领域

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地区

  • 19个北京市
  • 1个新疆
共 20 条 记 录，以下是 1-10
王立新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙博韬
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 栅氧化层 氧化层 VDMOS 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：负温度系数 电性能参数 退火效应 热敏电阻材料 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋李梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：漂移区 VDMOS LDMOS 功率VDMOS器件 晶闸管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁艳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 栅氧化层 槽栅 表面层 MOS晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王春林
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率VDMOS器件 测试电路 辐照 单粒子效应 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖超
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 VDMOS 热阻 掺杂 MOS晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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