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杨永晖

作品数：55 被引量：36H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟怡
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱盛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 终端 耐压性能 场效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王健安
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 模数转换器 采样开关 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄磊
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 绝缘层 介质耐压 终端 深槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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