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杨永晖
作品数:
52
被引量:31
H指数:3
供职机构:
中国电子科技集团第二十四研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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电子电信
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合作作者
谭开洲
中国电子科技集团第二十四研究所
唐昭焕
中国电子科技集团第二十四研究所
钟怡
中国电子科技集团第二十四研究所
崔伟
中国电子科技集团第二十四研究所
刘勇
中国电子科技集团第二十四研究所
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谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
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唐昭焕
供职机构:中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
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钟怡
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 功率半导体器件
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崔伟
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
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刘勇
供职机构:电子科技大学
研究主题:深槽 W波段 氮化镓 半导体 绝缘层
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邱盛
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 终端 深槽 耐压性能 场效应
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王健安
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 采样开关 模数转换器 跨导放大器 单位增益带宽
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胡刚毅
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
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黄磊
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 绝缘层 介质耐压 终端 深槽
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张静
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SIGE_HBT 异质结双极晶体管 SIGE 半导体 分子束外延
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