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洪文婷

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

  • 9个北京市
共 9 条 记 录，以下是 1-9
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩伟华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕奇峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 电极 晶体管 SOI衬底 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王昊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 硅基 晶面 晶体管 串联电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点激光器 量子点 纳米线 INAS 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晓光
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 硅基 太阳电池 INAS 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马刘红
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：相变存储器 自对准 硅基 晶体管 纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付英春
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：相变存储器 自对准 相变材料 干法刻蚀 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈燕坤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅纳米线 硅衬底 纳米线 纳米孔 光栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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