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王晓燕
作品数:
12
被引量:7
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
中国科学院知识创新工程
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
王晓亮
中国科学院半导体研究所
王保柱
中国科学院半导体研究所
肖红领
中国科学院半导体研究所
王军喜
中国科学院半导体研究所
刘宏新
中国科学院半导体研究所
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王晓亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
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研究领域
王保柱
供职机构:河北科技大学信息科学与工程学院
研究主题:GAN 电学性能 成核 生长温度 肖特基二极管
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研究领域
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
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肖红领
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
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研究领域
刘宏新
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 氮化镓 GAN 二维电子气 ALGAN/GAN
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研究领域
王新华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:电学性能 肖特基二极管 气体传感器 ALGAN/GAN GAN
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供职机构
所获资助
研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
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研究领域
郭伦春
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 焊接过程 搅拌头 搅拌摩擦焊接 搅拌摩擦
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研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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供职机构
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研究领域
李建平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 MOCVD GSMBE生长 碳化硅衬底 GSMBE
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