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刘贵鹏

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

  • 14个电子电信
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  • 3个机械工程
  • 3个电气工程
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主题

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  • 7个氮化物
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  • 6个单晶
  • 6个电器件
  • 5个单晶材料

机构

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  • 2个中国科学院大...
  • 1个北京师范大学
  • 1个河南大学
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  • 1个湖北大学
  • 1个武汉工业大学
  • 1个中国电子学会

资助

  • 9个国家重点基础...
  • 8个国家自然科学...
  • 7个国家高技术研...
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  • 2个国家电网公司...
  • 1个福建省自然科...
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传媒

  • 10个发光学报
  • 8个Journa...
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  • 6个第十四届全国...
  • 5个物理学报
  • 4个功能材料与器...
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地区

  • 15个北京市
共 15 条 记 录，以下是 1-10
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
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魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 非极性 锌源 氮化铝 铟
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刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN MOVPE MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 非极性 氮化镓基发光二极管 多量子阱 镓
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朱勤生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
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汪连山
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
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焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 高温退火 金属有机化合物 退火 样区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘长波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 铟 氮化镓薄膜 氮化镓 氮化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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