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卜俊鹏

作品数：25 被引量：28H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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地区

  • 13个北京市
共 13 条 记 录，以下是 1-10
郑红军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱蓉辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵冀
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴让元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 SI-GAAS GAAS 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹福年
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI-GAAS 砷化镓 亚表面损伤层 GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉珂
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：亚表面损伤层 SI-GAAS GAAS 单晶炉 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹玉华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 亚表面损伤层 抛光晶片 抛光 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明焦
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI-GAAS X射线 亚表面损伤层 抛光晶片 亚表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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