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王钦

作品数：9 被引量：22H指数：3
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程电气工程更多>>

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领域

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地区

  • 7个江苏省
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
孙伟锋
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘侠
供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
研究主题：VDMOS 体硅 VDM 电容 导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨东林
供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
研究主题：VDMOS 导通电阻 击穿电压 VDM 电容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李海松
供职机构：东南大学
研究主题：氧化层 栅氧化层 多晶硅栅 金属氧化物半导体 半导体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张萌
供职机构：东南大学
研究主题：低功耗 电流复用 混频器 卷积神经网络 无线传感器网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戈喆
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 金属氧化物半导体 栅氧化层 击穿电压 漏电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈军宁
供职机构：安徽大学
研究主题：反相器 灵敏放大器 电路 SRAM 裕度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
时龙兴
供职机构：东南大学
研究主题：多晶硅栅 氧化层 栅氧化层 金属 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柯导明
供职机构：安徽大学
研究主题：MOSFET 高温 阈值电压 LDMOS CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟坚
供职机构：安徽大学电子信息工程学院
研究主题：反相器 亚阈值 LDMOS SRAM 灵敏放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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