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韩晓亮

作品数：11 被引量：30H指数：4
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
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郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 电路 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑雪峰
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 氧化镓 势垒层 场板 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张绵
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：GAAS GAAS_PHEMT 高电子迁移率晶体管 MESFET FET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
詹永玲
供职机构：北京工业大学
研究主题：掺铬 铬 钨酸锌 晶体 激光特性
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张玉明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何光
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SIC_MESFET 高温 碳化硅 场效应晶体管 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尚也淳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 SIC 6H-SIC 反型层 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王剑屏
供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司
研究主题：碳化硅 MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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