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刘梦新

作品数：102 被引量：41H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 单粒子翻转 半导体器件 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘鑫
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：探测电路 电路 SRAM 反相器 漏极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 总剂量 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 集成电路 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超荣
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 SOI_LDMOS PMOS 辐射剂量计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高勇
供职机构：西安工业大学
研究主题：SIGE 功率二极管 门极换流晶闸管 电力半导体器件 IGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海南
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 存储器 输入端 单粒子翻转 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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