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杨香

作品数：45 被引量：12H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 44 条 记 录，以下是 1-10
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩伟华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 SOI 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何志
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘胜北
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 半导体薄膜 肖特基二极管 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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