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殷士端

作品数：11 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

领域

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  • 1个经济管理
  • 1个环境科学与工...
  • 1个自然科学总论

主题

  • 16个GAAS
  • 13个砷化镓
  • 13个退火
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机构

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资助

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  • 3个中国稀土学报
  • 3个电子显微学报

地区

  • 18个北京市
  • 1个广东省
共 19 条 记 录，以下是 1-10
朱沛然
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：离子注入 氦 GAAS 不锈钢 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张敬平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI 离子注入 硅化物 退火 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘家瑞
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：HE 离子 NE 氦 AR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖光明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INGAAS/GAAS GAAS/SI 沟道效应 晶体完整性 晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范缇文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 分子束外延 X GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑丽荣
供职机构：汕头大学
研究主题：MBE GAAS/SI SI 背散射 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佑祥
供职机构：中国科学院
研究主题：二次离子质谱 SIMS 陶瓷 钛 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许振嘉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅化物 砷化镓 欧姆接触 光致发光 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佩璇
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系
研究主题：多层膜 氦 不锈钢 FE 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢励吾
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：深能级 分子束外延生长 能级 硅 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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