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姜志艳

作品数：6 被引量：25H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

领域

  • 7个电子电信
  • 6个理学
  • 3个化学工程
  • 3个一般工业技术
  • 2个电气工程
  • 1个矿业工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个自动化与计算...
  • 1个医药卫生

主题

  • 5个大直径
  • 5个单晶
  • 5个单晶生长
  • 5个应力
  • 5个退火
  • 5个半绝缘
  • 5个SIC
  • 5个4H-SIC
  • 4个电阻率
  • 4个粘接
  • 4个粘接工艺
  • 4个碳化硅
  • 4个籽晶
  • 4个温度
  • 4个线切割
  • 4个粒度
  • 4个金刚石
  • 3个第三代半导体
  • 3个电子器件
  • 3个热导率

机构

  • 7个中国电子科技...
  • 1个西安理工大学
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 5个山西省自然科...
  • 5个国际科技合作...
  • 4个国家高技术研...
  • 4个国家自然科学...

传媒

  • 6个电子工艺技术
  • 4个电子工业专用...
  • 2个功能材料
  • 2个工业设计
  • 2个超硬材料工程
  • 1个现代显示
  • 1个山西电子技术
  • 1个第十二届全国...
  • 1个第十二届全国...

地区

  • 1个北京市
  • 1个陕西省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
徐伟
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：4H-SIC 半绝缘 SIC 金刚石 粉料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛开礼
供职机构：西安理工大学
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 半绝缘 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岳永杰
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：开盖 UV 风冷系统 固化炉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王英民
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：籽晶 氧化镓 单晶生长 氮化铝 坩埚
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯晓蕊
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：4H-SIC 半绝缘 单晶生长 大直径 粒度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王利忠
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：半绝缘 4H-SIC 单晶生长 应力 大直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周立平
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：SIC 晶片加工 金刚石 线切割 机械手
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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