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孔云川

作品数：5 被引量：1H指数：1
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共 11 条 记 录，以下是 1-10
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
澜清
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 INAS/GAAS 量子点 INAS/GAAS量子点 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周大勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 表面形貌 INAS/GAAS量子点 INAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苗振华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 分子束外延生长 INGAAS/GAAS 量子点 自组织量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
封松林
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田强
供职机构：北京师范大学物理学系
研究主题：晶格振动 半导体量子点 超晶格 非线性 一维双原子链
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王亚非
供职机构：中国科学院
研究主题：GAP ER 生长温度 P-N结 艺术教育
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
边历峰
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：红外探测器 差分 辐照 反应气体 光损耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INAS/GAAS 量子点材料 铟镓砷 砷化镓衬底 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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