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游达

作品数：14 被引量：52H指数：4
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
龚海梅
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：红外探测器 碲镉汞 INGAAS 铟镓砷 杜瓦
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤英文
供职机构：闽南师范大学
研究主题：GAN 氮化镓 光致发光 紫外探测器 碲镉汞
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许金通
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：紫外探测器 GAN 氮化镓 ALGAN 雪崩光电二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李向阳
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 紫外探测器 GAN 探测器 HGCDTE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵德刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庄春泉
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：硫化 光致发光 线列 INP HGCDTE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈亮
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：紫外探测器 ALGAN GAN P-I-N 背照式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱龙源
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 红外探测器 碲镉汞材料 铟柱 碲镉汞红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐运华
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：读出电路 GAN 焦平面 时间延迟积分 紫外焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王庆学
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：HGCDTE 液相外延 HG 分子束外延 晶格失配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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