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范雪梅

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超荣
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 SOI_LDMOS PMOS 辐射剂量计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 总剂量 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜寰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：LDMOS 硅基液晶 像素电路 静电保护 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡云中
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：芯片 电学测量 引线 版图 电路版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
雒建斌
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：芯片 电学测量 引线 版图 电路版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 建模方法 模型参数 MOS器件 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋李梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：VDMOS 漂移区 LDMOS 功率VDMOS器件 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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