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赵桂娟

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

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机构

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传媒

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地区

  • 20个北京市
共 20 条 记 录，以下是 1-10
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 非极性 氮化镓 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化镓 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪连山
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化铝 氢化物气相外延 氮化镓 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱勤生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 镓 铟 氮化镓基发光二极管 氮化镓薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯玉霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓基发光二极管 氮化镓 氮化铝 硅衬底 一维纳米结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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