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吕荫学

作品数：15 被引量：17H指数：3
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罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵博华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 像素电路 像素 阈值电压 硅基液晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 集成电路 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾传滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 SOI 绝缘体上硅 埋氧层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锁相环 锁相环电路 CMOS 压控振荡器 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王一奇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：灵敏放大器 平衡电路 静态随机存储器 存储器测试 充电电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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