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肖超

作品数:14 被引量:34H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程一般工业技术更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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地区

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21 条 记 录,以下是 1-10
王立新
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋李梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:VDMOS 漂移区 LDMOS 功率VDMOS器件 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙博韬
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 栅氧化层 氧化层 VDMOS 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:功率器件 绝缘栅双极晶体管 栅氧化层 集成电路 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑康
供职机构:中国科学院
研究主题:常压干燥 复合材料 氮化硼 环氧树脂 网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张彦飞
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 功率VDMOS器件 氧化层 功率器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:TVS MOS 氧 辐照特性 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田兴友
供职机构:中国科学院合肥物质科学研究院
研究主题:纳米复合材料 导电 复合材料 电磁屏蔽性能 导热
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁艳
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 栅氧化层 槽栅 表面层 MOS晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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