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邢友翠

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

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机构

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地区

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共 8 条 记 录，以下是 1-8
王俭峰
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：LPCVD TEOS 二氧化硅薄膜 均匀性 淀积速率
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史继祥
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：少子寿命 电阻率 硼 晶向 Γ辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
佟丽英
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：单晶片 抛光片 电阻率 硅单晶 少子寿命
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫萍
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：区熔 硅单晶 区熔硅单晶 高阻 少子寿命
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亚帅
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：光注入 禁带宽度 少子寿命 少数载流子寿命 锗单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘玉岭
供职机构：河北工业大学
研究主题：化学机械抛光 CMP 抛光液 去除速率 ULSI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戚红英
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：锗 抛光片 湿法清洗 光注入 禁带宽度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张继荣
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：硅单晶 电阻率 少子寿命 DLY 校准方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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