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郑红军

作品数：27 被引量：31H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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地区

  • 27个北京市
共 27 条 记 录，以下是 1-10
卜俊鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱蓉辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵冀
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹玉华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 亚表面损伤层 抛光晶片 抛光 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴让元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 SI-GAAS GAAS 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微缺陷 VGF LEC 温控设备 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉柯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：化学腐蚀 均匀性 GAAS 晶片 磨片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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