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陈宏

作品数:57 被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程化学工程理学更多>>

领域

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主题

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机构

  • 16个中国科学院微...
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  • 1个桂林电子科技...
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资助

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传媒

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地区

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  • 1个四川省
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17 条 记 录,以下是 1-10
白云
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 SIC 衬底 微波等离子体 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨成樾
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤益丹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 衬底 微波等离子体 含氧气体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 场限环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:功率器件 绝缘栅双极晶体管 栅氧化层 集成电路 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱阳军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:IGBT IGBT器件 集电极 绝缘栅双极晶体管 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢烁今
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴振兴
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:击穿电压 绝缘栅双极晶体管 闩锁 衬底 场限环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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