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王飞
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:磁共振成像 双极晶体管 NPN双极晶体管 功耗电流 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉明
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:双极工艺 淀积 深槽 掩蔽层 PN结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯建
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:多晶硅 SOI 键合 氧化层 硅片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构:中国电子科技集团
研究主题:SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:深槽 半导体 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟怡
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构:电子科技大学
研究主题:W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴建
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:多晶硅 氧化层 牺牲层 微电子机械系统 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正元
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:微电子机械系统 硅薄膜 多晶硅 电路 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈洪波
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:大流量 硅外延 SOI工艺 半导体设备 半导体工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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