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程哲

作品数：32 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 21 条 记 录，以下是 1-10
张韵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 氮化物 紫外发光二极管 氮化镓 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张连
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 氮化镓 氮化物 成核 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙莉莉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：紫外发光二极管 出光效率 杀菌消毒 氮化物 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化物 成核 叉指电极 谐振器 氨气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾利芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN HEMT器件 肖特基接触 ALGAN/GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁亚楠
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN HEMT器件 势垒层 氮化物 反向漏电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李迪
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：HEMT器件 GAN 氮化物 肖特基接触 肖特基势垒二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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